多反应溅射技术硕士招聘（反应溅射的优点）

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本文目录一览：

• 1、反应溅射怎么造句
• 2、李兴鳌研究领域与成果
• 3、真空磁控溅射技术直流反应溅射出现的问题

反应溅射怎么造句

1、通过磁控反应溅射，在玻璃基底上制备了不同溅射温度下的氧化钛薄膜。 反应溅射中氧分压对薄膜的影响也很大，较高的氧气分压有助于较好结晶的二氧化钛薄膜的生成。 用磁控反应溅射法在不同氧分压下制备了氮氧化铪薄膜。

2、通过磁控反应溅射，在玻璃基底上制备了不同溅射温度下的氧化钛薄膜。4 反应溅射中氧分压对薄膜的影响也很大，较高的氧气分压有助于较好结晶的二氧化钛薄膜的生成。

3、本文用光谱分析的方法研究低温反应射频溅射生长的A1N薄膜。采用射频溅射制备BST薄膜，研究了薄膜的介电击穿特性。

李兴鳌研究领域与成果

1、李兴鳌专注于光学、凝聚态物理和材料物理等领域的研究，特别是在光电信息材料与器件方面，他长期从事光电功能薄膜材料的制备及应用研究，尤其对磁控溅射制备半导体薄膜、多铁性薄膜以及磁控多靶反应共溅射制备掺杂薄膜有深入研究。

2、在教学成果方面，李兴鳌主要在光学、材料物理与化学、等离子体物理、凝聚态物理、大学物理教学、自然辩证法等领域有较深入的探讨。

真空磁控溅射技术直流反应溅射出现的问题

真空磁控溅射技术在直流反应溅射过程中，存在靶的污染问题。靶表面形成非导电或导电性差的化合物后，不仅放电电压和沉积速率发生变化，还可能导致膜成分和结构的变化，影响薄膜的性能。阳极消失问题是另一个关键问题。

但是，直流反应溅射的反应气体会在靶表面非侵蚀区形成绝缘介质层，造成电荷积累放电，导致沉积速率降低和不稳定，进而影响薄膜的均匀性及重复性，甚至损坏靶和基片。为了解决这一问题，近年来发展了一系列稳定等离子体以控制沉积速率，提高薄膜均匀性和重复性的辅助技术。

影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。

磁控溅射磁性靶材不起辉现象，即在镀膜工艺中磁性靶材未能产生稳定辉光放电，这直接影响了镀膜质量和工艺效率。这种问题的出现与磁控溅射原理、磁性靶材特性以及工作环境等因素密切相关。磁控溅射通过磁场控制粒子的喷射，磁性靶材利用其特性参与反应。

现在的直流溅射（也叫二级溅射）较少用到，原因是溅射气压较高，电压较高，溅射速率小，膜层不稳定等缺点。直流溅射发展后期，人们在其表面加上一定磁场，磁场束缚住自由电子后，以上缺点均有所改善，也是现阶段广泛应用的一种溅射方法。

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